интегральный усилитель, усилитель с

интегральный усилитель, усилитель считывания, полупроводниковый усилитель, усилитель на ПЗС

клейкое покрытие, проводящее покрытие, нанесение покры - тия методом погружения, покрытие, нанесенное напылением, связующий подслой

проектирование кристалла, блочная конструкция, проектирование схемы, топологическое проектирование, оператив ное проектирование схем, проектирование с выбором схем

акцепторная примесь, легирующая примесь, примесь, наносимая на поверхность полупроводника

усиление по току, инверсный коэффициент усиления, нагрузочная способность логической И С, номинальный коэф фициент усиления

зазор между контактами, ширина запрещенной зоны, запре щенная зона с прямыми переходами, микрозазор, запирающим слой, герметизирующии слои, слои, стойкий к травлению, напыленный слои, исходный слой, многослойная пленка

Результаты (английский) 1:

integrated amplifier, amplifier, amplifier semiconductor read-out amplifier for CCDadhesive coating, coating coating coating conducting-dipping, coating applied, spray glue sublayerdesigning Crystal block design, schema design, topological design, operational Noe circuit design, designing with the choice of schemesdipolar admixture, admixture admixture, alloying, applied to the surface of the semiconductorstrengthening current inverse amplification factor, load capacity of the logical and with nominal prices gain ficientthe gap between the contacts, the width of the forbidden zone, prohibited whelping area with direct transitions, mikrozazor, locking a layer, layers, germetiziruûŝii, stain-resistant, napylennyj layers, the original layer, multi-layer film

Результаты (английский) 2:

integrated amplifier, the sense amplifier, semiconductor amplifiers, CCD adhesive coating, conductive coating, applying a covering - ment by dipping, coating applied by spraying, bonding underlayer design crystal block design, design diagrams, topological design, operative ing circuit design, design with a choice of schemes acceptor impurity dopant impurity is applied to the surface of the semiconductor current gain inverse gain, load capacity logic and C rated coefficient gain contact gap, gap width, lock schennaya area with direct transitions, microgap, barrier layer, sealing layers, the layers are resistant to etching, deposition layers, the source layer, the multilayer film

Результаты (английский) 3:

the integrated amplifier, amplifier system, a semiconductor amplifier, amplifier for ccd

sticky coating using coating or cover for immersion plating, coating applied.the connecting подслой

design crystal, modular construction, design scheme, topological design, implementation of operational design schemes, the design choice of

акцепторная admixture.легирующая admixture, admixture, used on the surface of

the current, инверсный gain factor of the нагрузочная ability, logical and, the nominal коэф factor enhance

the clearance between the contacts, the width of the forbidden zone of illicit щенная zone with straight tubes, микрозазор, запирающим layer герметизирующии layers, layers, resistant to травлению, напыленный layers, source layera multi-layered film