ТРЕБОВАНИЯ К ЗНАНИЯМ, УМЕНИЯМ И НАВ

ТРЕБОВАНИЯ К ЗНАНИЯМ, УМЕНИЯМ И НАВЫКАМ УЧАЩИХСЯ ПО ПРЕДМЕТУ
По изучению предмета учащиеся должны приобретать следующие знания:
- знания о материалах полупроводников;
- знания о теории электронно-дырочной проводимости;
знания о понятие р-п перехода и его электрических характеристиках;
- знания о диодах и их характеристиках;
- знания о структуре транзистора, принципе его работы, понятие биполярный транзистор и его характеристики;
- знания о схемах включения транзисторов;
- знания о транзисторах MOS FET (полевых транзисторах) Особенности этого типа транзисторов. Область применения;
- знания о полупроводниковых элементах на базе фотоэффекта;
- знания об аналоговых интегральных схемах и особенностях их создания;
- знания об оптоэлектронных микросхемах и их особенностях;
- знания о схемах усиления;
- знания о структуре и принципах работы операционного усилителя;
- знания о различных типах генераторов и автогенераторов, их особенностях и принципах работы.
В процессе изучения предмета учащиеся должны приобрести следующие умения:
- умение отличать полупроводники от других материалов, объяснять их особенности;
- умение описывание характеристик и свойств р-n перехода;
- уметь различать различные типы диодов, особенности, сферу применения, схемы включения;
- уметь различать различные типы транзисторов, особенности, сферу применения;
- уметь различать различные схемы включения транзисторов, объяснить принципы работы;
- уметь различать данным тип транзисторов, особенности и сферу применения MOS FET;
- уметь снимать и рассчитывать основные характеристики полупроводниковых элементов:
- уметь работать с элементами на базе фотоэффекта;
- уметь “прочитать” микросхему по ее названию и определить области применения;
- уметь разработать схему усиления и генерации;

Результаты (узбекский) 1:

Mavzu bo'yicha bilim talablar va talabalar ko'nikmalarini
mavzu o'rganish uchun, quyidagi bilimlar kerak talabalar:
- yarim o'tkazgich materiallarni ilm;
-; elektron-teshik o'tkazuvchanlik nazariyasi bilim
; pn birikmaning tushunchasi va uning elektr xususiyatlariga haqida bilim
diodlar ilmi - va ularning xususiyatlari;
- tranzistor tuzilishi ilmi, u qanday ishlaydi, bir bipolyar tranzistor va uning xususiyatlari tushunchasi;
- tranzistorlar shakllarining bilish;
- tranzistor mos FET (dala ta'siri tranzistorlar) bu turi tranzistorlar xususiyatlari bilish. Tortib;
- Fotoelektrik ta'siri asosida yarim o'tkazgich elementlardan bilish;
- analog integratsiya aylanishlarning va ularni yaratishda o'ziga xos jihatlari bilish;
- optoelektron chiplari va ularning xususiyatlari bilish;
- ko'paytirish tutashuv bilish;
- tuzilishi va operatsion kuchaytirgichi tamoyillari bilish;
- bilim generatorlari va osilatörler, ularning xususiyatlari va ishlash tamoyillari, turli turlari haqida.
Quyidagi ko'nikmalarga ega bo'lishi kerak mavzu talabalarni o'rganish jarayonida:
- ularning xususiyatlari bayon qilish uchun boshqa materiallardan yarimo'tkazgichni ajratish qobiliyatini;
- p-n birikmaning xususiyatlarini va xususiyatlarini yozish qobiliyati;
- turli ajrata imkoniyatiga ega bo'lish davrlari kommutatsiya diodlar, xususiyatlari, doirasi, turlari;
- tranzistorlar, xususiyatlari, dastur doirasida turli turdagi ajrata imkoniyatiga ega bo'lish uchun;
- tranzistorlar turli sxemalarini ajrata ish printsiplarini tushuntirib imkoniyatiga ega bo'lish;
- mos FET tranzistorlar, xususiyatlari va ko'lamini ma'lumot turini ajratish mumkin;
- olib tashlash va yarimo'tkazgich elementlarning asosiy xususiyatlarini sanab imkoniyatiga ega bo'lish:
-; Fotoelektrik ta'siri asosida elementlar bilan ishlash imkoniyatiga ega bo'lish
ko'lamini uning nomi bilan bog'liq bir jip "o'qish" va aniqlash imkoniyatiga ega bo'lish uchun; -
- mustahkam va avlod sxemasini ishlab chiqish imkoniyatiga ega bo'lish uchun;